Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Livro de bolso
2011, ISBN: 3832527915
Paperback, [EAN: 9783832527914], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], 2011-02-23, Logos Verlag Berlin, Diese Arbeit beschreibt experimentelle und ato… mais…
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Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika - Livro de bolso
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Taschenbuch, [EAN: 9783832527914], Logos Berlin, Logos Berlin, Book, [PU: Logos Berlin], Logos Berlin, 295206, Hilfsmittel, 290518, Chemie, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606,… mais…
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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika (German Edition) - Livro de bolso
ISBN: 3832527915
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2011, ISBN: 9783832527914
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Kristian Hafkemeyer:
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2011, ISBN: 9783832527914
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Dados bibliográficos do melhor livro correspondente
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Dados detalhados do livro - Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
EAN (ISBN-13): 9783832527914
ISBN (ISBN-10): 3832527915
Livro de bolso
Ano de publicação: 2011
Editor/Editora: Logos Verlag Berlin
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Página de detalhes modificada pela última vez em 2018-03-25T16:27:42+01:00 (Lisbon)
Número ISBN/EAN: 9783832527914
Número ISBN - Ortografia alternativa:
3-8325-2791-5, 978-3-8325-2791-4
Ortografia alternativa e termos de pesquisa relacionados:
Autor do livro: hafkemeyer
Dados da editora
Autor: Kristian Hafkemeyer
Título: Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Editora: Logos Berlin
Ano de publicação: 2011-02-23
Língua: Alemão
36,50 € (DE)
37,50 € (AT)
Not available, publisher indicates OP
BC; PB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik, Elektronik; Degradation; MOS-FET; Gatedielektrika; CMOS; Matrix-Teststrukturen; 2010; TU Hamburg-Harburg
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