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Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Josef Lutz Author
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Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Josef Lutz Author - novo libro

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Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit und machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst mögli… mais…

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2012, ISBN: 9783642297960

Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit, eBooks, eBook Download (PDF), Auflage, [PU: Springer-Verlag], Seiten: 383, [ED: 2], Springer-Verlag, 2012

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Pormenores referentes ao livro
Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Josef Lutz Author
Autor:
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Número ISBN:

364229796X

Dados detalhados do livro - Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Josef Lutz Author


EAN (ISBN-13): 9783642297960
ISBN (ISBN-10): 364229796X
Ano de publicação: 2012
Editor/Editora: Springer Berlin Heidelberg Digital >16
380 Páginas
Língua: ger/Deutsch

Livro na base de dados desde 2012-06-16T10:04:30+01:00 (Lisbon)
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Número ISBN/EAN: 364229796X

Número ISBN - Ortografia alternativa:
3-642-29796-X, 978-3-642-29796-0
Ortografia alternativa e termos de pesquisa relacionados:
Autor do livro: lutz, josef, lütz
Título do livro: halbleiter leistungsbauelemente, zuverlässigkeit, halb, physik, leistung

Dados da editora

Autor: Josef Lutz
Título: Halbleiter-Leistungsbauelemente - Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit
Editora: Springer; Springer Berlin
383 Páginas
Ano de publicação: 2012-11-07
Berlin; Heidelberg; DE
Língua: Alemão
89,99 € (DE)
89,99 € (AT)
106,00 CHF (CH)
Available
XXII, 383 S. 298 Abb.

EA; E107; eBook; Nonbooks, PBS / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Verstehen; Bipolare Transistoren; Halbleiter; Halbleiterphysik; Halbleiterphysikalische Grundlagen; Herstellungstechnologie; IGBTs; MOS Transistoren; MOSFET; Robustheit; Schnelle Dioden; Schottky-Dioden; SchwingungseffekteSiC Bauelemente; Superjunction Bauelemente; Systemintegration; Thyristoren; Zuverlässigkeit; pn-Übergänge; A; Electronic Circuits and Systems; Electrical Power Engineering; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Engineering; Elektrotechnik; Elektronik; BB

Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.
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