2023, ISBN: 9786206534440

[ED: Taschenbuch], [PU: Edições Nosso Conhecimento], Ele fornece um breve resumo sobre como o gap de energia é encontrado e suas aplicações. A densidade do elétron é muito maior do que a … mais…

[ED: Taschenbuch], [PU: Edições Nosso Conhecimento], Ele fornece um breve resumo sobre como o gap de energia é encontrado e suas aplicações. A densidade do elétron é muito maior do que a densidade do buraco no semicondutor do tipo n representado como ne >> nh enquanto, no semicondutor do tipo p, a densidade do buraco é muito maior que a densidade eletrônica: nh >> ne.Em um semicondutor tipo n, o nível de energia do doador está próximo da banda de condução e longe da banda de valência. Enquanto no semicondutor tipo p, o nível de energia do aceitador está próximo da banda de valência e longe da banda de condução.A impureza adicionada no semicondutor do tipo p fornece buracos extras conhecidos como átomos aceitadores, enquanto no semicondutor do tipo n a impureza fornece elétrons extras chamados átomos doadores.O nível de Fermi do semicondutor tipo n fica entre o nível de energia do doador e a banda de condução, enquanto o do semicondutor tipo p está entre o nível de energia do aceitador e a banda de valência.No semicondutor tipo p, os..., DE, [SC: 0.00], Neuware, gewerbliches Angebot, 56, [GW: 102g], Banküberweisung, PayPal, [CT: Sonstiges / Sonstiges]<

ISBN: 9786206534440

Ele fornece um breve resumo sobre como o gap de energia é encontrado e suas aplicações. A densidade do elétron é muito maior do que a densidade do buraco no semicondutor do tipo n represe… mais…

Ele fornece um breve resumo sobre como o gap de energia é encontrado e suas aplicações. A densidade do elétron é muito maior do que a densidade do buraco no semicondutor do tipo n representado como ne >> nh enquanto, no semicondutor do tipo p, a densidade do buraco é muito maior que a densidade eletrônica: nh >> ne.Em um semicondutor tipo n, o nível de energia do doador está próximo da banda de condução e longe da banda de valência. Enquanto no semicondutor tipo p, o nível de energia do aceitador está próximo da banda de valência e longe da banda de condução.A impureza adicionada no semicondutor do tipo p fornece buracos extras conhecidos como átomos aceitadores, enquanto no semicondutor do tipo n a impureza fornece elétrons extras chamados átomos doadores.O nível de Fermi do semicondutor tipo n fica entre o nível de energia do doador e a banda de condução, enquanto o do semicondutor tipo p está entre o nível de energia do aceitador e a banda de valência.No semicondutor tipo p, os portadores majoritários movem-se do potencial mais alto para o mais baixo, em contraste com o tipo n, onde os portadores majoritários se movem do potencial mais baixo para o mais alto. Buch, Edições Nosso Conhecimento / OmniScriptum<